AM3548C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM3548C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM3548C

AM3548C Datasheet (PDF)

..1. Size:178K analog power
am3548c.pdf

Analog Power AM3548CN & P-Channel 40-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsPRODUCT SUMMARYutilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ()ID (A)provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.063 @ V = 10V 3.7GSpower loss and heat dissipation. Typical 40applications are DC-DC converters and 0.082 @ V = 4.5V 3.3GSpower management in portabl

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Liste

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