AM3560C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM3560C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.15 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.9 nC
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.153 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM3560C

AM3560C Datasheet (PDF)

..1. Size:396K analog power
am3560c.pdf

Analog Power AM3560CPRODUCT SUMMARYN & P-Channel 60-V (D-S) MOSFET rDS(on) (m)VDS (V) ID(A)153 @ VGS = 10V2.360185 @ VGS = 4.5V2.1Key Features: Key Features:310 @ VGS = -10V -1.6 Low r trench technology Low r trench technology DS(on)DS(on)-60405 @ VGS = -4.5V -1.4 Low thermal impedance Low thermal impedance Fast switching speed F

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Liste

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