AM3560C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM3560C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.153 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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AM3560C datasheet

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AM3560C

Analog Power AM3560C PRODUCT SUMMARY N & P-Channel 60-V (D-S) MOSFET rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) 153 @ VGS = 10V 2.3 60 185 @ VGS = 4.5V 2.1 Key Features Key Features 310 @ VGS = -10V -1.6 Low r trench technology Low r trench technology DS(on) DS(on) -60 405 @ VGS = -4.5V -1.4 Low thermal impedance Low thermal impedance Fast switching speed F

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