AM35N03-40D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM35N03-40D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 34 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.4 V
Carga de la puerta (Qg): 7.8 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 48 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.029 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM35N03-40D
AM35N03-40D Datasheet (PDF)
am35n03-40d.pdf
Analog Power AM35N03-40DN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)29 @ VGS = 4.5V34 Low thermal impedance 3043 @ VGS = 2.5V28 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM
am35n03-59d.pdf
Analog Power AM35N03-59DN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 59 @ VGS = 4.5V 24converters and power management in portable and 3088 @ VGS = 2.5V 20batt
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