AM35N03-40D Todos los transistores

 

AM35N03-40D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM35N03-40D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

AM35N03-40D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  analog power
 am35n03-40d.pdf pdf_icon

AM35N03-40D

Analog Power AM35N03-40DN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)29 @ VGS = 4.5V34 Low thermal impedance 3043 @ VGS = 2.5V28 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM

 6.1. Size:139K  analog power
 am35n03-59d.pdf pdf_icon

AM35N03-40D

Analog Power AM35N03-59DN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 59 @ VGS = 4.5V 24converters and power management in portable and 3088 @ VGS = 2.5V 20batt

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