AM3962N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM3962N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.153 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM3962N

AM3962N Datasheet (PDF)

..1. Size:180K analog power
am3962n.pdf

Analog Power AM3962NN-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsPRODUCT SUMMARYutilize High Cell Density process. Low VDS (V) rDS(on) ()ID (A)rDS(on) assures minimal power loss and 0.153 @ VGS = 10V 2.3conserves energy, making this device ideal 60for use in power management circuitry. 0.185 @ VGS = 4.5V 2.1Typical applications are DC-DC converters,

0.1. Size:202K analog power
am3962ne.pdf

Analog Power AM3962NEN-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsPRODUCT SUMMARYutilize a high cell density trench process to VDS (V) rDS(on) ()ID (A)provide low rDS(on) and to ensure minimal 0.153 @ VGS = 10V 2.3power loss and heat dissipation. Typical 60applications are DC-DC converters and 0.185 @ VGS = 4.5V 2.1power management in portable and D

9.1. Size:323K analog power
am3961p.pdf

Analog Power AM3961PP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)310 @ VGS = -10V -1.6 Low thermal impedance -60465 @ VGS = -4.5V -1.3 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI

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Liste

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