ITF87052SVT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ITF87052SVT
Código: 052
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 540 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6 SC95
Búsqueda de reemplazo de ITF87052SVT MOSFET
ITF87052SVT Datasheet (PDF)
itf87052svt.pdf

ITF87052SVTData Sheet March 2000 File Number 4800.33A, 20V, 0.115 Ohm, P-Channel, Features2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.115, VGS = -4.5VPackaging- rDS(ON) = 0.120, VGS = -4.0VTSOP-6- rDS(ON) = 0.190, VGS = -2.5V 2.5 V Gate Drive Capability Small Profile Package41 Gate to Source Protection Diode23 Simula
itf87056dqt.pdf

ITF87056DQTData Sheet March 2000 File Number 4813.25A, 20V, 0.045 Ohm, Dual P-Channel, Features2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.045, VGS = -4.5VPackaging- rDS(ON) = 0.048, VGS = -4.0VTSSOP-8- rDS(ON) = 0.077, VGS = -2.5V 2.5V Gate Drive Capability5 Gate to Source Protection Diode1 Simulation Models243- Temp
itf87008dqt.pdf

ITF87008DQTData Sheet March 2000 File Number 4814.27.0A, 20V, 0.023 Ohm, Dual N-Channel, Features2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.023, VGS = 4.5VPackaging- rDS(ON) = 0.024, VGS = 4.0VTSSOP-8- rDS(ON) = 0.029, VGS = 2.5V 2.5 Volt Gate Drive Capability5 Gate to Source Protection Diode1 Simulation Models243- T
itf87068sqt.pdf

ITF87068SQTData Sheet March 2000 File Number 4811.29A, 20V, 0.015 Ohm, P-Channel, Features2.5V Specified Power MOSFET Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.015, VGS = -4.5VPackaging- rDS(ON) = 0.016, VGS = -4.0VTSSOP-8- rDS(ON) = 0.023, VGS = -2.5V5 2.5V Gate Drive Capability1 Gate to Source Protection Diode243 Simulation Models- Temperatur
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History: APQ04SN60CH | AUIRFZ44VZSTRL
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