AM4415P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM4415P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 174 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2122 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM4415P
AM4415P Datasheet (PDF)
am4415p.pdf
Analog Power AM4415PP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)8.4 @ VGS = -4.5V -16 Low thermal impedance -2010.4 @ VGS = -2.5V -14 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI
am4417p.pdf
Analog Power AM4417PP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)17 @ VGS = -10V -11.1 Low thermal impedance -6023 @ VGS = -4.5V -9.5 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM
am4410n.pdf
Analog Power AM4410NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 13.5 @ VGS = 10V 13converters and power management in portable and 3020 @ VGS = 4.5V 11battery
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Liste
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