AM4470N Todos los transistores

 

AM4470N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM4470N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.295 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AM4470N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  analog power
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AM4470N

Analog Power AM4470NN-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)295 @ VGS = 10V2.7 Low thermal impedance 200335 @ VGS = 4.5V2.5 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI

 9.1. Size:325K  analog power
 am4472n.pdf pdf_icon

AM4470N

Analog Power AM4472NN-Channel 200-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)80 @ VGS = 10V5.1 Low thermal impedance 20090 @ VGS = 5.5V4.8 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

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History: SI4434DY | CHM2401JGP | APT8020JFLL | PSMN9R0-30LL | IRFP470 | HGP1K2N20ML | 2SK2015

 

 
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