AM4472N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM4472N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 226 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de AM4472N MOSFET
AM4472N Datasheet (PDF)
am4472n.pdf
Analog Power AM4472NN-Channel 200-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)80 @ VGS = 10V5.1 Low thermal impedance 20090 @ VGS = 5.5V4.8 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM
am4470n.pdf
Analog Power AM4470NN-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)295 @ VGS = 10V2.7 Low thermal impedance 200335 @ VGS = 4.5V2.5 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI
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History: IRF9Z34SPBF
History: IRF9Z34SPBF
Liste
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