AM4472N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM4472N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 226 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AM4472N datasheet

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AM4472N

Analog Power AM4472N N-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 80 @ VGS = 10V 5.1 Low thermal impedance 200 90 @ VGS = 5.5V 4.8 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

 9.1. Size:323K  analog power
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AM4472N

Analog Power AM4470N N-Channel 200-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 295 @ VGS = 10V 2.7 Low thermal impedance 200 335 @ VGS = 4.5V 2.5 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI

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