AM4482N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM4482N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM4482N

AM4482N Datasheet (PDF)

..1. Size:318K analog power
am4482n.pdf

Analog Power AM4482NN-Channel 80-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)36 @ VGS = 10V7.6 Low thermal impedance 8043 @ VGS = 4.5V7.0 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM R

9.1. Size:172K analog power
am4481p.pdf

Analog Power AM4481PP-Channel 80-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m() ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 126 @ VGS = -10V 6.8converters and power management in portable and -80battery-powered product

9.2. Size:234K analog power
am4480n.pdf

Analog Power AM4480NN-Channel 80-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)41 @ VGS = 10V7.1 Low thermal impedance8057 @ VGS = 4.5V6.1 Fast switching speedTypical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion CircuitsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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Liste

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