AM4528C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM4528C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM4528C
AM4528C Datasheet (PDF)
am4528c.pdf
Analog Power AM4528CP & N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m()ID (A)minimal power loss and conserves energy, making 28 @ VGS = 4.5V 7.2this device ideal for use in power management 3018 @ VGS = 10V 8.5circuitry. Typical applications are PWMDC-DC converte
am4520h.pdf
Analog Power AM4520HPRODUCT SUMMARYP & N-Channel 20-V (D-S) MOSFET rDS(on) (m)VDS (V) ID(A)47 @ VGS = 4.5V6.62055 @ VGS = 2.5V6.2Key Features: Key Features:79 @ VGS = -4.5V -5.2 Low r trench technology Low r trench technology DS(on)DS(on)-20110 @ VGS = -2.5V -4.4 Low thermal impedance Low thermal impedance Fast switching speed Fa
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Liste
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