AM4825P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM4825P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM4825P
AM4825P Datasheet (PDF)
am4825p.pdf
Analog Power AM4825PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m()ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 13 @ VGS = -10V -11.5-30converters and power management in portable and 19 @ VGS = -4.5V -9.3
am4825p.pdf
AM4825Pwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Desktop PCs
am4825pe.pdf
Analog Power AM4825PEP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m()ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 13 @ VGS = -10V -11.5-30converters and power management in portable and 19 @ VGS = -4.5V -9.3
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History: IRF1010ESPBF
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