AM4890N Todos los transistores

 

AM4890N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM4890N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AM4890N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  analog power
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AM4890N

Analog Power AM4890NDual N-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) ()VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)0.7 @ VGS = 10V1.4 Low thermal impedance 1501.2 @ VGS = 5.5V1.1 Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost

 9.1. Size:315K  analog power
 am4892n.pdf pdf_icon

AM4890N

Analog Power AM4892NDual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)255 @ VGS = 10V2.3 Low thermal impedance 150290 @ VGS = 4.5V2.2 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE

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History: BRCS2N65AA | CMLDM7003TG | KRF8910 | 2SK1723 | NVR4003N | 5N65G-TF3T-T | AP2N050G

 

 
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