AM4890N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM4890N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 3.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM4890N
AM4890N Datasheet (PDF)
am4890n.pdf
Analog Power AM4890NDual N-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) ()VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)0.7 @ VGS = 10V1.4 Low thermal impedance 1501.2 @ VGS = 5.5V1.1 Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost
am4892n.pdf
Analog Power AM4892NDual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)255 @ VGS = 10V2.3 Low thermal impedance 150290 @ VGS = 4.5V2.2 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE
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Liste
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