AM4892N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM4892N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.255 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AM4892N datasheet

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AM4892N

Analog Power AM4892N Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 255 @ VGS = 10V 2.3 Low thermal impedance 150 290 @ VGS = 4.5V 2.2 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE

 9.1. Size:316K  analog power
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AM4892N

Analog Power AM4890N Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) ( ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 0.7 @ VGS = 10V 1.4 Low thermal impedance 150 1.2 @ VGS = 5.5V 1.1 Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost

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