AM4902N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM4902N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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AM4902N datasheet

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AM4902N

Analog Power AM4902N N-Channel 60-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARY rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) dissipation. Typical applications are DC-DC 35 @ VGS = 10V 6.4 converters and power management in portable and 60 battery-powered products su

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