AM4953 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM4953

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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AM4953 datasheet

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AM4953

AiT Semiconductor Inc. AM4953 www.ait-ic.com MOSFET -30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION FEATURES The AM4953 is the Dual P-Channel logic -30V/-5.3A, R =46m (typ.)@V =-10V DS(ON) GS enhancement mode power field effect transistor is -30V/-3.6A, R =75m (typ.)@V =-4.5V DS(ON) GS produced using high cell density. Advanced trench Super high density cell desig

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AM4953

Analog Power AM4953P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 52 @ VGS = -10V -5.2 Low thermal impedance -30 89 @ VGS = -4.5V -4.0 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMU

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