AM5352 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM5352

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: SC-89

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AM5352 datasheet

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AM5352

AM5352 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM5352 is the N-Channel logic enhancement 20V/0.6A, R =200m (typ.)@V =4.5V DS(ON) GS mode power field effect transistor which is produced 20V/0.5A, R =240m (typ.)@V =2.5V DS(ON) GS using high cell density advanced trench technology to 20V/0.4A, R =420m

 9.1. Size:314K  analog power
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AM5352

Analog Power AM5350N N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 700 @ VGS = 10V 1.3 Low thermal impedance 150 1200 @ VGS = 4.5V 1 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L package DFN3x2-8L EP Typical Applications D D Telecom DC/DC converters D D White LED boost conver

Otros transistores... AM50P02-09D, AM50P02-16D, AM50P03-09D, AM50P04-16PCFM, AM50P04-20D, AM50P06-15D, AM50P10-117P, AM5350N, IRFP064N, AM5400N, AM5423P, AM5430N, AM5460N, AM5480N, AM5521C, AM5829P, AM5853