AM5352 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AM5352
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-89
Búsqueda de reemplazo de AM5352 MOSFET
AM5352 Datasheet (PDF)
am5352.pdf
AM5352 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM5352 is the N-Channel logic enhancement 20V/0.6A, R =200m(typ.)@V =4.5V DS(ON) GSmode power field effect transistor which is produced 20V/0.5A, R =240m(typ.)@V =2.5V DS(ON) GSusing high cell density advanced trench technology to 20V/0.4A, R =420m
am5350n.pdf
Analog Power AM5350NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)700 @ VGS = 10V1.3 Low thermal impedance1501200 @ VGS = 4.5V1 Fast switching speed Small Footprint DFN3x2-8L packageDFN3x2-8L EPTypical Applications:DD Telecom DC/DC convertersDD White LED boost conver
Otros transistores... AM50P02-09D , AM50P02-16D , AM50P03-09D , AM50P04-16PCFM , AM50P04-20D , AM50P06-15D , AM50P10-117P , AM5350N , IRFP064N , AM5400N , AM5423P , AM5430N , AM5460N , AM5480N , AM5521C , AM5829P , AM5853 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003

