IRFH8201 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFH8201

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1730 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm

Encapsulados: PQFN5X6

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IRFH8201 datasheet

 ..1. Size:502K  international rectifier
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IRFH8201

StrongIRFET IRFH8201PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 0.95 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 1.60 Qg (typical) 56 nC ID 100 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverters Features Benefits Low RDSon (

 ..2. Size:554K  infineon
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IRFH8201

StrongIRFET IRFH8201PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 0.95 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 1.60 Qg (typical) 56 nC ID 100 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverters Features Benefits Low RDSon (

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IRFH8201

StrongIRFET IRFH8202TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS 25 V RDS(on) max 1.05 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 52 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A PQFN 5X6 mm (@TC(Bottom) = 25 C) Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features and Benefits Benefits Features Low RDSon (

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IRFH8201

StrongIRFET IRFH8202PbF HEXFET Power MOSFET VDS 25 V RDS(on) max 1.05 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 52 nC RG (typical) 1.3 ID 100 A PQFN 5X6 mm (@TC(Bottom) = 25 C) Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features and Benefits Benefits Features Low RDSon (

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