IRFH8202 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFH8202
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1758 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00105 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFH8202

IRFH8202 Datasheet (PDF)

..1. Size:226K international rectifier
irfh8202.pdf

StrongIRFETIRFH8202PbFHEXFET Power MOSFETVDS 25 VRDS(on) max 1.05 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 52 nCRG (typical) 1.3 ID 100 APQFN 5X6 mm(@TC(Bottom) = 25C)Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverter MOSFETFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (

0.1. Size:266K 1
irfh8202trpbf.pdf

StrongIRFETIRFH8202TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS 25 VRDS(on) max 1.05 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 52 nCRG (typical) 1.3 ID 100 APQFN 5X6 mm(@TC(Bottom) = 25C)Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverter MOSFETFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (

0.2. Size:266K infineon
irfh8202trpbf.pdf

7.1. Size:502K international rectifier
irfh8201.pdf

StrongIRFET IRFH8201PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 0.95(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 1.60 Qg (typical) 56 nC ID 100 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 5X6 mm Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverters Features Benefits Low RDSon (

7.2. Size:554K infineon
irfh8201pbf.pdf

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