IRFH8318PBF Todos los transistores

 

IRFH8318PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFH8318PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.6 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 27 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.35 V

Carga de compuerta (Qg): 19 nC

Tiempo de elevación (tr): 33 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 700 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0031 Ohm

Empaquetado / Estuche: PQFN5X6

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IRFH8318PBF Datasheet (PDF)

1.1. irfh8318pbf.pdf Size:247K _upd-mosfet

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PD - 97649C IRFH8318PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V Vgs max ± 20 V RDS(on) max 3.1 (@VGS = 10V) mΩ (@VGS = 4.5V) 4.6 Qg typ 19 nC PQFN 5X6 mm ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25°C) Applications • Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (< 1.7°C/W) Enable better thermal dissipation Low

1.2. irfh8318pbf.pdf Size:257K _international_rectifier

IRFH8318PBF
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IRFH8318PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V Vgs max ± 20 V RDS(on) max 3.1 (@VGS = 10V) mΩ (@VGS = 4.5V) 4.6 Qg typ 19 nC PQFN 5X6 mm ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25°C) Applications • Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (< 1.7°C/W) Enable better thermal dissipation Low Profile (<1.

 3.1. irfh8316.pdf Size:248K _upd-mosfet

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IRFH8316PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V Vgs max ± 20 V RDS(on) max 2.95 (@VGS = 10V) mΩ (@VGS = 4.5V) 4.30 Qg typ 30.0 nC PQFN 5X6 mm ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25°C) Applications • Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (< 1.7°C/W) Enable better thermal dissipation Low Profile

3.2. irfh8311.pdf Size:310K _upd-mosfet

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IRFH8311PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V Vgs max V ± 20 RDS(on) max 2.1 (@VGS = 10V) mΩ (@VGS = 4.5V) 3.2 Qg typ. 30 nC PQFN 5X6 mm ID 80 A (@Tc(Bottom) = 25°C) Applications • Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (< 1.3°C/W) Enable better thermal dissipation Low Profile (<1.2mm)

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 
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