IRFH8318PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFH8318PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 3.6 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 27 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.35 V
Carga de compuerta (Qg): 19 nC
Tiempo de elevación (tr): 33 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 700 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0031 Ohm
Empaquetado / Estuche: PQFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFH8318PBF
IRFH8318PBF Datasheet (PDF)
1.1. irfh8318pbf.pdf 
Size:247K _upd-mosfet
PD - 97649C IRFH8318PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V Vgs max ± 20 V RDS(on) max 3.1 (@VGS = 10V) mΩ (@VGS = 4.5V) 4.6 Qg typ 19 nC PQFN 5X6 mm ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25°C) Applications • Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (< 1.7°C/W) Enable better thermal dissipation Low
1.2. irfh8318pbf.pdf Size:257K _international_rectifier
IRFH8318PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V Vgs max ± 20 V RDS(on) max 3.1 (@VGS = 10V) mΩ (@VGS = 4.5V) 4.6 Qg typ 19 nC PQFN 5X6 mm ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25°C) Applications • Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (< 1.7°C/W) Enable better thermal dissipation Low Profile (<1.
3.1. irfh8311.pdf Size:310K _upd-mosfet
IRFH8311PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V Vgs max V ± 20 RDS(on) max 2.1 (@VGS = 10V) mΩ (@VGS = 4.5V) 3.2 Qg typ. 30 nC PQFN 5X6 mm ID 80 A (@Tc(Bottom) = 25°C) Applications • Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (< 1.3°C/W) Enable better thermal dissipation Low Profile (<1.2mm)
3.2. irfh8316.pdf Size:248K _upd-mosfet
IRFH8316PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V Vgs max ± 20 V RDS(on) max 2.95 (@VGS = 10V) mΩ (@VGS = 4.5V) 4.30 Qg typ 30.0 nC PQFN 5X6 mm ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25°C) Applications • Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (< 1.7°C/W) Enable better thermal dissipation Low Profile
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