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IRFH8318PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFH8318PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6
 

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IRFH8318PBF PDF Specs

 ..1. Size:239K  international rectifier
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IRFH8318PBF

IRFH8318PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V Vgs max 20 V RDS(on) max 3.1 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 4.6 Qg typ 19 nC PQFN 5X6 mm ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (... See More ⇒

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IRFH8318PBF

IRFH8318PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V Vgs max 20 V RDS(on) max 3.1 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 4.6 Qg typ 19 nC PQFN 5X6 mm ID 50 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (... See More ⇒

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IRFH8318PBF

IRFH8311PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V Vgs max V 20 RDS(on) max 2.1 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 3.2 Qg typ. 30 nC PQFN 5X6 mm ID 80 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (... See More ⇒

 7.2. Size:310K  international rectifier
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IRFH8318PBF

IRFH8311PbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V Vgs max V 20 RDS(on) max 2.1 (@VGS = 10V) m (@VGS = 4.5V) 3.2 Qg typ. 30 nC PQFN 5X6 mm ID 80 A (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (... See More ⇒

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