IRFHM4226 Todos los transistores

 

IRFHM4226 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFHM4226

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 28 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.1 V

Carga de compuerta (Qg): 16 nC

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 570 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0024 Ohm

Empaquetado / Estuche: PQFN3.3X3.3

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IRFHM4226 Datasheet (PDF)

1.1. irfhm4226.pdf Size:562K _upd-mosfet

IRFHM4226
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FastIRFET™ IRFHM4226TRPbF HEXFET® Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 2.4 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 3.3 Qg (typical) 16 nC ID 60 A (@TC (Bottom) = 25°C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Control or Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features Benefits Low RDSon (<2.4m) Lower Conduction Losses Low Charge (typical 16

3.1. irfhm4234.pdf Size:581K _upd-mosfet

IRFHM4226
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FastIRFET™ IRFHM4234TRPbF HEXFET® Power MOSFET Top View VDSS 25 V RDS(on) max 4.4 D 5 4 G (@ VGS = 10V) m D 6 3 S (@ VGS = 4.5V) 7.1 D 7 2 S Qg (typical) 8.2 nC D 8 1 S ID 60 A (@TC (Bottom) = 25°C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Control MOSFET for synchronous buck converter Features Benefits Low Charge (typical 8.2 nC) Low Switching

3.2. irfhm4231.pdf Size:574K _upd-mosfet

IRFHM4226
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FastIRFET™ IRFHM4231TRPbF HEXFET® Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 3.4 (@ VGS = 10V) m (@ VGS = 4.5V) 4.6 Qg (typical) 9.7 nC ID 40 A (@TC (Bottom) = 25°C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Control MOSFET for synchronous buck converter Features Benefits Low Charge (typical 9.7nC) Low Switching Losses Low RDSon (<3.4m) Lower Conduction

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