IRFHM7194 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFHM7194
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 374 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0164 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN3.3X3.3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFHM7194

IRFHM7194 Datasheet (PDF)

..1. Size:571K international rectifier
irfhm7194.pdf

FastIRFET IRFHM7194TRPbF HEXFET Power MOSFET VDSS 100 V RDS(on) max 16.4 m(@ VGS = 10V) Qg (typical) 13 nC Rg (typical) 2.0 ID 34 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Primary Switch for High Frequency 48V/60V Telecom DC-DC Power Supplies Secondary Side Synchronous Rectifier Features Benefits Low RDSon (

8.1. Size:283K 1
irfhm792.pdf

PD - 96368AIRFHM792TRPbFIRFHM792TR2PbFHEXFET Power MOSFETVDS 100 VVgs max TOP VIEWV 20DRDS(on) max D D D195 m8 7 6 5(@VGS = 10V) GSGSDQg typ4.2 nC DDDDDID 3.4 A1 2 3 4(@Tc(Bottom) = 25C)PQFN Dual 3.3X3.3 mmS G S GApplications DC-DC Primary Switch 48V Battery MonitoringFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow R

8.2. Size:261K 1
irfhm792trpbf.pdf

IRFHM792PbFHEXFET Power MOSFETVDS 100 VVgs max TOP VIEWV 20DRDS(on) max D D D195 m8 7 6 5(@VGS = 10V) GSGSDQg typ4.2 nC DDDDDID 3.4 A1 2 3 4(@Tc(Bottom) = 25C)PQFN Dual 3.3X3.3 mmS G S GApplications DC-DC Primary Switch 48V Battery MonitoringFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon (

8.3. Size:261K infineon
irfhm792pbf.pdf

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