AM7630N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM7630N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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AM7630N datasheet

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AM7630N

Analog Power AM7630N N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 19 @ VGS = 10V 9.4 Low thermal impedance 30 28 @ VGS = 4.5V 7.8 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

 9.1. Size:321K  analog power
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AM7630N

Analog Power AM7632N N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 13 @ VGS = 10V 12 Low thermal impedance 30 18 @ VGS = 4.5V 10 Fast switching speed Typical Applications DC/DC Conversion Power Routing Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C UNLESS OTHERWISE NOT

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