AM7632N Todos los transistores

 

AM7632N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM7632N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AM7632N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  analog power
 am7632n.pdf pdf_icon

AM7632N

Analog Power AM7632NN-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)13 @ VGS = 10V12 Low thermal impedance 3018 @ VGS = 4.5V10 Fast switching speed Typical Applications: DC/DC Conversion Power Routing Motor Drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTHERWISE NOT

 9.1. Size:307K  analog power
 am7630n.pdf pdf_icon

AM7632N

Analog Power AM7630NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)19 @ VGS = 10V9.4 Low thermal impedance 3028 @ VGS = 4.5V7.8 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

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History: PJS6811 | SFB030N100C3 | 2N7000G

 

 
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