AM7920N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM7920N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: SOIC-8PP

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AM7920N datasheet

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AM7920N

Analog Power AM7920N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 10 @ V = 4.5V 33 GS dissipation. Typical applications are DC-DC 20 converters and power management in portable and 13 @ V = 2.5V 29 GS

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AM7920N

Analog Power AM7924N Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 3.4 @ VGS = 4.5V 60c Low thermal impedance 20 5 @ VGS = 2.5V 60c Fast switching speed DFN5X6-8L Typical Applications Power Routing Li Ion Battery Packs Level Shifting and Driver Circuits ABSOLUTE MAX

Otros transistores... AM7500C, AM7510C, AM7530C, AM7540C, AM7630N, AM7632N, AM7640N, AM7910N, AON7403, AM7924N, AM7930N, AM7931P, AM7933P, AM7940N, AM7960N, AM7961P, AM7962N