AM7920N Todos los transistores

 

AM7920N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM7920N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8PP
     - Selección de transistores por parámetros

 

AM7920N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  analog power
 am7920n.pdf pdf_icon

AM7920N

Analog Power AM7920NDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 10 @ V = 4.5V 33GSdissipation. Typical applications are DC-DC 20converters and power management in portable and 13 @ V = 2.5V 29GS

 9.1. Size:303K  analog power
 am7924n.pdf pdf_icon

AM7920N

Analog Power AM7924NDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)3.4 @ VGS = 4.5V60c Low thermal impedance 205 @ VGS = 2.5V60c Fast switching speed DFN5X6-8L Typical Applications: Power Routing Li Ion Battery Packs Level Shifting and Driver Circuits ABSOLUTE MAX

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History: WMS08DN06TS | MTN50N06E3 | CPC3730 | STB23NM60ND | SSFT4004 | SM3116NAF | IPI051N15N5

 

 
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