AM7940N Todos los transistores

 

AM7940N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM7940N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8PP
 

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AM7940N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  analog power
 am7940n.pdf pdf_icon

AM7940N

Analog Power AM7940NDual N-Channel 40-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 19 @ VGS = 10V 24dissipation. Typical applications are DC-DC 4022 @ VGS = 4.5V 22converters and power management in portable and ba

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History: TPC8203

 

 
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