AM7962N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM7962N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8PP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM7962N

AM7962N Datasheet (PDF)

..1. Size:64K analog power
am7962n.pdf

Analog Power AM7962NDual N-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 23 @ V = 10V 22GSdissipation. Typical applications are DC-DC 60converters and power management in portable and 28 @ V = 4.5V 20GS

9.1. Size:63K analog power
am7960n.pdf

Analog Power AM7960NDual N-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat 8.4 @ V = 10V 36GSdissipation. Typical applications are DC-DC 60converters and power management in portable and 9.4 @ V = 4.5V 34GS

9.2. Size:324K analog power
am7961p.pdf

Analog Power AM7961PDual P-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)44 @ VGS = -10V -6.2 Low thermal impedance -6052 @ VGS = -4.5V -5.7 Fast switching speed Typical Applications: DFN5X6-8L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits

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