AM8820 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM8820

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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AM8820 datasheet

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AM8820

AiT Semiconductor Inc. AM8820 www.ait-ic.com TSSOP8 DUAL MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8820 is available in TSSOP8 Packages 20V/6A, R = 20m (typ.) @ V = 10V DS(ON) GS R = 23m (typ.) @ V = 4.5V DS(ON) GS R = 27m (typ.) @ V = 3.1V DS(ON) GS R = 30m (typ.) @ V = 2.5V DS(ON) GS R = 42m (typ.) @ V = 1.8V DS(ON) GS

Otros transistores... AM8204, AM8205, AM8206, AM8208, AM8810, AM8811, AM8812, AM8814, IRF640, AM8881, AM8882, AM8958, AM8958C, AM8N20-600D, AM8N25-550D, AM90N02-04D, AM90N03-01P