AM8820 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM8820
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM8820

AM8820 Datasheet (PDF)

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am8820.pdf

AiT Semiconductor Inc. AM8820 www.ait-ic.com TSSOP8 DUAL MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION FEATURES The AM8820 is available in TSSOP8 Packages 20V/6A, R = 20m(typ.) @ V = 10V DS(ON) GS R = 23m(typ.) @ V = 4.5V DS(ON) GS R = 27m(typ.) @ V = 3.1V DS(ON) GS R = 30m(typ.) @ V = 2.5V DS(ON) GS R = 42m(typ.) @ V = 1.8V DS(ON) GS

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: