AM8958 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AM8958

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de AM8958 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AM8958 datasheet

 ..1. Size:530K  ait semi
 am8958.pdf pdf_icon

AM8958

AiT Semiconductor Inc. AM8958 www.ait-ic.com MOSFET N+P PAIR ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION FEATURES The AM8958 is the N & P-Channel enhancement N-Channel mode power field effect transistor using high cell 30V /6.8A, R = 23m (typ.)@V = 10V DS(ON) GS density DMOS trench technology. This high density 30V /6.5A, R = 34m (typ.)@V = 4.5V DS(ON) GS process is especially tailor

 0.1. Size:237K  analog power
 am8958c.pdf pdf_icon

AM8958

Analog Power AM8958C P & N-Channel 32-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARY High Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 40 @ VGS = 4.5V 6.0 32 circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 29 @ V = 10V 7.0 GS conver

Otros transistores... AM8208, AM8810, AM8811, AM8812, AM8814, AM8820, AM8881, AM8882, IRFB4110, AM8958C, AM8N20-600D, AM8N25-550D, AM90N02-04D, AM90N03-01P, AM90N03-02D, AM90N03-03B, AM90N03-03P