AM8958 Todos los transistores

 

AM8958 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AM8958
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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AM8958 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  ait semi
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AM8958

AiT Semiconductor Inc. AM8958 www.ait-ic.com MOSFET N+P PAIR ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION FEATURES The AM8958 is the N & P-Channel enhancement N-Channel mode power field effect transistor using high cell 30V /6.8A, R = 23m(typ.)@V = 10V DS(ON) GSdensity DMOS trench technology. This high density 30V /6.5A, R = 34m(typ.)@V = 4.5V DS(ON) GSprocess is especially tailor

 0.1. Size:237K  analog power
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AM8958

Analog Power AM8958CP & N-Channel 32-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m()ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 40 @ VGS = 4.5V 6.032circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 29 @ V = 10V 7.0GSconver

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History: PSMN9R0-25MLC | PHP30NQ15T | 2SK3574-ZK | 7NM70G-TA3-T | PHB110NQ08T

 

 
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