AM9410N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AM9410N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AM9410N

AM9410N Datasheet (PDF)

..1. Size:209K analog power
am9410n.pdf

Analog Power AM9410NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m() ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 24 @ VGS = 10V 8.1circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 3033 @ VGS = 4.5V 6.9converters, p

9.1. Size:209K analog power
am9412n.pdf

Analog Power AM9412NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize PRODUCT SUMMARYHigh Cell Density process. Low rDS(on) assures VDS (V) rDS(on) m()ID (A)minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management 22 @ VGS = 10V 9.030circuitry. Typical applications are PWMDC-DC 36 @ VGS = 4.5V 7.0converters,

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Liste

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