STN1NF20 Todos los transistores

 

STN1NF20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STN1NF20
   Código: 1NF20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
     - Selección de transistores por parámetros

 

STN1NF20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:648K  st
 stn1nf20.pdf pdf_icon

STN1NF20

STN1NF20N-channel 200 V, 1.1 , 1 A SOT-223STripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTN1NF20 200 V

 8.1. Size:246K  st
 stn1nf10.pdf pdf_icon

STN1NF20

STN1NF10N-channel 100V - 0.7 -1A SOT-223STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID2STN1NF10 100V

 9.1. Size:504K  st
 stn1n20.pdf pdf_icon

STN1NF20

STN1N20N-channel 200 V, 1.2 , 1 A, SOT-223MESH OVERLAY Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTN1N20 200 V

 9.2. Size:285K  st
 stn1nb80.pdf pdf_icon

STN1NF20

STN1NB80N - CHANNEL 800V - 16 - 0.2A - SOT-223PowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTN1NB80 800 V

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History: 12N65KG-TQ2-T | SW601Q | ME60N03A | STP16NM50N | FTK40P04D | IPAN60R600P7S | SI2369DS

 

 
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