STN4972 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STN4972
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 8.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 16 nC
   Tiempo de subida (tr): 6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 258 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STN4972

STN4972 Datasheet (PDF)

..1. Size:605K stansontech
stn4972.pdf

STN4972STN4972STN4972STN4972Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET8.5ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONSTN4972 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistorswhich are produced using high cell density DMOS trench technology. It is suitable forthe power management applications in the portable or battery powered system.PIN CONFIGURA

9.1. Size:482K stansontech
stn4920.pdf

STN4920 Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET 7.2A DESCRIPTION STN4920 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors which are produced using high cell density DMOS trench technology. It is suitable for the power management applications in the portable or battery powered system. PIN CONFIGURATION FEATURE SOP-8 30V/7.2A, RDS(ON) = 28m@VGS

9.2. Size:410K stansontech
stn4946.pdf

STN4946STN4946STN4946STN4946Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET12ADESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONDESCRIPTIONThe STN4946 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effecttransistors are produced using high cell density , DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particular

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Liste

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