STN7400 Todos los transistores

 

STN7400 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STN7400
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

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STN7400 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  stansontech
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STN7400

ST7400 N Channel Enhancement Mode MOSFET 2.8A DESCRIPTION ST7400 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and noteb

 9.1. Size:132K  st
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STN7400

STN749MEDIUM CURRENT, HIGH PERFORMANCE,LOW VOLTAGE PNP TRANSISTOROrdering Code MarkingSTN749 N749 VERY LOW COLLECTOR TO EMITTERSATURATION VOLTAGE DC CURRENT GAIN, h > 100FE2 3 A CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT SOT-223 PLASTIC PACKAGE FOR3SURFACE MOUNTING CIRCUITS2 AVAILABLE IN TAPE AND REEL PACKING 1APPLICATIONS SOT-223 POWER MANAGEMENT IN PORTABLEEQUIPMEN

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History: HM2310C | AO7412

 

 
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