STN7400 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STN7400

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm

Encapsulados: SOT-323

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STN7400 datasheet

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STN7400

ST7400 N Channel Enhancement Mode MOSFET 2.8A DESCRIPTION ST7400 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and noteb

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STN7400

STN749 MEDIUM CURRENT, HIGH PERFORMANCE, LOW VOLTAGE PNP TRANSISTOR Ordering Code Marking STN749 N749 VERY LOW COLLECTOR TO EMITTER SATURATION VOLTAGE DC CURRENT GAIN, h > 100 FE 2 3 A CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT SOT-223 PLASTIC PACKAGE FOR 3 SURFACE MOUNTING CIRCUITS 2 AVAILABLE IN TAPE AND REEL PACKING 1 APPLICATIONS SOT-223 POWER MANAGEMENT IN PORTABLE EQUIPMEN

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