STP11NM60FP Todos los transistores

 

STP11NM60FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP11NM60FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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STP11NM60FP Datasheet (PDF)

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STP11NM60FP

STP11NM60 - STP11NM60FPSTB11NM60 - STB11NM60-1N-channel 650V @ TJmax - 0.4 - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSSType RDS(on) ID(@TJ=TJmax)332211STP11NM60 650V

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STP11NM60FP

STP11NM60 - STP11NM60FPSTB11NM60 - STB11NM60-1N-channel 650V @ TJmax - 0.4 - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSSType RDS(on) ID(@TJ=TJmax)332211STP11NM60 650V

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STP11NM60FP

STB11NM60FD - STB11NM60FD-1STP11NM60FD - STP11NM60FDFPN-channel 600V - 0.40 - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKFDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID32 3STB11NM60FD 600V

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STP11NM60FP

STP11NM60FDSTP11NM60FDFP - STB11NM60FD-1N-CHANNEL 600V - 0.40 - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAKFDmeshPower MOSFET (with FAST DIODE)TYPE VDSS RDS(on) IDSTP11NM60FD 600 V

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History: IXFQ30N60X | ZXMN3A01E6TC | SSP90R260S | PSMN1R5-30YL | WMJ25N70EM | SL3415 | SST65R190S3

 

 
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