STP11NM60N Todos los transistores

 

STP11NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP11NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP11NM60N Datasheet (PDF)

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STP11NM60N

STx11NM60NN-channel 600 V, 0.37 , 10 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) 3Type ID 323(@TJmax) max12 11STB11NM60N-1 650 V 0.45 10 ADPAKTO-220IPAKSTB11NM60N 650 V 0.45 10 ASTD11NM60N 650 V 0.45 10 ASTD11NM60N-1 650 V 0.45 10 ASTF11NM60N 650 V 0.45 10 A(1)STP11NM60N 650 V 0.45

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STP11NM60N

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STP11NM60N

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STP11NM60N

STD11NM60ND, STF/I11NM60NDSTP11NM60ND, STU11NM60NDN-channel 600 V, 0.37 , 10 A, FDmesh II Power MOSFETI2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeatures Order codes VDSS (@Tjmax) RDS(on) max ID33STD11NM60ND 10 A 1 21STF11NM60ND 10 A(1)DPAKIPAKSTI11NM60ND 650 V

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History: R6046FNZ1 | BUK7Y153-100E | TPP65R360M | LSB60R039GT | VN2110 | NTR3A30PZ | IMW120R140M1H

 

 
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