STP12NM50FD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP12NM50FD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP12NM50FD

STP12NM50FD Datasheet (PDF)

..1. Size:478K st
stb12nm50fdt4 stp12nm50fd stw14nm50fd.pdf

STB12NM50FD - STB12NM50FD-1STP12NM50FD/FP - STW14NM50FDN-channel 500V - 0.32 - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID Pw33STB12NM50FD 500V

0.1. Size:483K st
stb12nm50fd stp12nm50fd-fp stw14nm50fd.pdf

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stp12nm50 stp12nm50fp stb12nm50 stb12nm50-1.pdf

STP12NM50 - STP12NM50FPSTB12NM50 - STB12NM50-1N-channel 550V @ tjmax - 0.30 - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)33STB12NM50 550V

4.2. Size:618K st
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STB12NM50T4, STP12NM50, STP12NM50FPDatasheetN-channel 500 V, 300 m typ., 12 A MDmesh Power MOSFETs in a DPAK, TO-220 and TO-220FP packagesFeaturesTABVDS RDS(on) max. IDOrder codes312D PAK3STB12NM50T421TO-220FPTAB STP12NM50 500 V 350 m 12 ASTP12NM50FP32 100% avalanche tested1TO-220 Low input capacitance and gate charge Low gate inp

4.3. Size:541K st
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STP12NM50 - STP12NM50FPSTB12NM50 - STB12NM50-1N-channel 550V @ tjmax - 0.30 - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)33STB12NM50 550V

4.4. Size:221K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP12NM50FPFEATURES Drain-source on-resistance:RDS(on) 0.35@10VFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSBe suitable for increasing power density of high voltage convertersallowing system miniaturization and

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Liste

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