STP12NM50FD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP12NM50FD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP12NM50FD datasheet

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STP12NM50FD

STB12NM50FD - STB12NM50FD-1 STP12NM50FD/FP - STW14NM50FD N-channel 500V - 0.32 - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh Power MOSFET (with fast diode) General features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 3 STB12NM50FD 500V

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STP12NM50FD

STB12NM50FD - STB12NM50FD-1 STP12NM50FD/FP - STW14NM50FD N-channel 500V - 0.32 - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh Power MOSFET (with fast diode) General features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 3 STB12NM50FD 500V

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STP12NM50FD

STP12NM50 - STP12NM50FP STB12NM50 - STB12NM50-1 N-channel 550V @ tjmax - 0.30 - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 3 STB12NM50 550V

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STP12NM50FD

STB12NM50T4, STP12NM50, STP12NM50FP Datasheet N-channel 500 V, 300 m typ., 12 A MDmesh Power MOSFETs in a D PAK, TO-220 and TO-220FP packages Features TAB VDS RDS(on) max. ID Order codes 3 1 2 D PAK 3 STB12NM50T4 2 1 TO-220FP TAB STP12NM50 500 V 350 m 12 A STP12NM50FP 3 2 100% avalanche tested 1 TO-220 Low input capacitance and gate charge Low gate inp

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