STP13NK50Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP13NK50Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP13NK50Z
STP13NK50Z Datasheet (PDF)
stp13nk50z.pdf
STF13NK50ZSTP13NK50Z, STW13NK50ZN-channel 500 V, 0.40 , 11 A TO-220, TO-220FP, TO-247Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTF13NK50Z 500 V
stf13nk50z stp13nk50z stw13nk50z.pdf
STF13NK50ZSTP13NK50Z, STW13NK50ZN-channel 500 V, 0.40 , 11 A TO-220, TO-220FP, TO-247Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTF13NK50Z 500 V
stb13nk60zt4 stp13nk60z stp13nk60zfp stw13nk60z.pdf
STB13NK60ZT4, STP13NK60ZSTP13NK60ZFP, STW13NK60ZN-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKTO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax332STB13NK60ZT4 600 V
stb13nk60zt4 stw13nk60z stp13nk60zfp.pdf
STB13NK60ZT4, STP13NK60ZSTP13NK60ZFP, STW13NK60ZN-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAKTO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax332STB13NK60ZT4 600 V
stp13nk60z.pdf
STP13NK60Z/FP, STB13NK60ZSTB13NK60Z-1, STW13NK60ZN-CHANNEL 600V-0.48-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP13NK60Z 600 V
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: FDP8440
History: FDP8440
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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