STP19NB20 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP19NB20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP19NB20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP19NB20 datasheet

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STP19NB20 - STP19NB20FP STB19NB20-1 N-CHANNEL 200V - 0.15 - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP19NB20 200 V

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STP19NB20 - STP19NB20FP STB19NB20-1 N-CHANNEL 200V - 0.15 - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP19NB20 200 V

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STP19NB20 - STP19NB20FP STB19NB20-1 N-CHANNEL 200V - 0.15 - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP19NB20 200 V

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STB19NF20, STF19NF20, STP19NF20 N-channel 200 V, 0.15 typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet production data Features TAB Type VDSS RDS(on) ID pw STB19NF20 200V

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