STP20NM50FP Todos los transistores

 

STP20NM50FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP20NM50FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

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STP20NM50FP Datasheet (PDF)

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STP20NM50FP

STB20NM50 - STB20NM50-1STP20NM50 - STP20NM50FPN-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@TJmax)332STB20NM50 550V

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STP20NM50FP

STB20NM50 - STB20NM50-1STP20NM50 - STP20NM50FPN-channel 500V - 0.20 - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAKMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@TJmax)332STB20NM50 550V

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STP20NM50FP

STB20NM50FDSTF20NM50FD - STP20NM50FDN-channel 500 V, 0.22 , 20 A D2PAK, TO-220FP, TO-220FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)* Qg IDmaxSTB20NM50FD 500 V

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STP20NM50FP

STP20NM50FDSTB20NM50FD-1N-CHANNEL 500V - 0.22 - 20ATO-220/I2PAKFDmesh Power MOSFET (with FAST DIODE)TYPE VDSS RDS(on) Rds(on)*Qg IDSTP20NM50FD 500V

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History: CPC3710 | IPP120N06NG | GSM4516W | SSF1030B | FDC796N | STH110N10F7-6 | STFI9N60M2

 

 
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