STP20NM60A MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP20NM60A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP20NM60A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP20NM60A datasheet

..1. Size:309K st
stb20nm60a-1 stp20nm60a stf20nm60a.pdf pdf_icon

STB20NM60A-1 STP20NM60A - STF20NM60A N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 - 20A I PAK/TO-220/TO-220FP MDmesh MOSFET TYPE VDSS @Tjmax RDS(on) ID STB20NM60A-1 650 V

..2. Size:300K st
stp20nm60a.pdf pdf_icon

STB20NM60A-1 STP20NM60A - STF20NM60A N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 - 20A I PAK/TO-220/TO-220FP MDmesh MOSFET TYPE VDSS @Tjmax RDS(on) ID STB20NM60A-1 650 V

5.1. Size:444K st
stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf pdf_icon

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

5.2. Size:535K st
stp20nm60.pdf pdf_icon

STP20NM60 - STP20NM60FP STB20NM60 STB20NM60-1 N-CHANNEL 600V - 0.25 - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP20NM60 600 V

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