STP2301 Todos los transistores

 

STP2301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP2301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP2301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  semtron
 stp2301.pdf pdf_icon

STP2301

STP2301 -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STP2301 is the P-Channel logic enhancement -20V/-3.0A, RDS(ON) =80m(typ.)@VGS =-4.5V mode power field effect transistor is produced using -20V/-2.0A, RDS(ON) =105m(typ.)@VGS =-2.5V high cell density. advanced trench technology to provide excellent RDS(ON). .low gate charge and Super h

 8.1. Size:374K  semtron
 stp2305.pdf pdf_icon

STP2301

STP2305 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTIONFEATUREThe STP2305 is the P-Channel logic enhancement -30V/-4.3A, RDS(ON) =55m(typ.)@VGS =-10V mode power field effect transistor is produced using -30V/-3.5A, RDS(ON) =65m(typ.)@VGS =-4.5V high cell density. advanced trench technology to -30V/-2.5A, RDS(ON) =87m(typ.)@VGS =-2.5V provide exce

 9.1. Size:560K  st
 stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf pdf_icon

STP2301

STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited

 9.2. Size:814K  st
 stb23nm60nd sti23nm60nd stf23nm60nd stp23nm60nd stw23nm60nd.pdf pdf_icon

STP2301

STx23NM60NDN-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID3max.3(@Tjmax)1 21STx23NM60ND 650 V

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History: VS3633GA | NCEP050N85G | BUK7Y113-100E | APQ9ESN20AB | 2P978D | AONR30310 | 2SK2677

 

 
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