STP24N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP24N60M2
   Código: 24N60M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP24N60M2

STP24N60M2 Datasheet (PDF)

..1. Size:1556K st
stb24n60m2 sti24n60m2 stp24n60m2 stw24n60m2.pdf

STB24N60M2, STI24N60M2, STP24N60M2, STW24N60M2N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID231STB24N60M2321D2PAKSTI24N60M2I2PAK650 V 0.19 18 ASTP24N60M2TABSTW24N60M2 Extremely low gate charge

6.1. Size:1195K st
stb24n60dm2 stp24n60dm2 stw24n60dm2.pdf

STB24N60DM2, STP24N60DM2, STW24N60DM2N-channel 600 V, 0.175 typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTAB TABVDS @ RDS(on) 2Order codes ID3 TJmax max13STB24N60DM2D2PAK21STP24N60DM2 650 V 0.20 18 ATO-220STW24N60DM2 Extremely low gate charge and input capacitance32

7.1. Size:1178K st
stb24n65m2 stf24n65m2 stp24n65m2.pdf

STB24N65M2, STF24N65M2, STP24N65M2 N-channel 650 V, 0.185 typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order codes V R max I DS DS(on) DSTB24N65M2 STF24N65M2 650 V 0.23 16 A STP24N65M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100% avalanche tested Ze

8.1. Size:419K st
stb24nf10 stp24nf10.pdf

STB24NF10STP24NF10N-channel 100V - 0.0055 - 26A - TO-220 - DPAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB24NF10 100V

8.2. Size:890K st
stf24nm60n stp24nm60n stw24nm60n.pdf

STF24NM60NSTP24NM60N, STW24NM60NN-channel 600 V, 0.168 , 17 A MDmesh II Power MOSFETTO-220FP, TO-220 and TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.STF24NM60N 650 V

8.3. Size:1094K st
stf24nm60n sti24nm60n stp24nm60n stw24nm60n.pdf

STF24NM60N, STI24NM60N, STP24NM60N, STW24NM60NN-channel 600 V, 0.168 typ., 17 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP, IPAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataTAB Features Order codes VDS @Tjmax RDS(on) max. IDSTF24NM60N3 322 11STI24NM60NI2PAKTO-220FP650 V 0.19 17 ASTP24NM60NTABSTW24NM60N 100% avalanche tested332 L

8.4. Size:556K st
stb24nm65n sti24nm65n stf24nm65n stp24nm65n stw24nm65n.pdf

STW24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65NSTB24NM65N - STP24NM65NN-channel 650 V - 0.16 - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKI2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@TJmax)323121STB24NM65N 710 V

8.5. Size:444K st
stp24nf10 stb24nf10.pdf