STP25NM50N Todos los transistores

 

STP25NM50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP25NM50N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 511 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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STP25NM50N Datasheet (PDF)

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STP25NM50N

STx25NM50NN-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max323121STB25NM50N 550 V

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STP25NM50N

STP25NM50N - STF25NM50NSTB25NM50N/-1 - STW25NM50NN-CHANNEL 500V 0.11 - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247SECOND GENERATION MDmesh MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS (@TjMAX) ID RDS(on)STB25NM50N-1 550V 22 A 0.140 STF25NM50N 550V 22 A(*) 0.140 332 2STP25NM50N 550V 22 A 0.140 11STW25NM50N 550V 22 A 0.140 TO-220IPAKSTB25N

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STP25NM50N

STB25NM60Nx - STF25NM60NSTP25NM60N - STW25NM60NN-channel 600 V, 0.130 , 21 A, MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@Tjmax) max332211STB25NM60N 650 V

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STP25NM50N

STx25NM60NDN-channel 600 V, 0.13 , 21 A FDmesh II Power MOSFETD2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ Type RDS(on) max IDTJMAX 33 13221STB25NM60ND 21 A 1D2PAKTO-220STI25NM60ND 21 ATO-220FPSTF25NM60ND 650 V 0.16 21 A(1)STP25NM60ND 21 ASTW25NM60ND 21 A1. Limited only by maximum temperature allowed323121 The worldwide

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History: NCE20ND15Q | WMO60N02T1 | WMJ12N120D1

 

 
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