IXFH7N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFH7N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFH7N90

IXFH7N90 Datasheet (PDF)

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ixfh7n90.pdf

0.1. Size:112K ixys
ixfh7n90q ixft7n90q.pdf

www.DataSheet.co.krAdvanced Technical InformationIXFH 7N90Q VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFT 7N90Q ID25 = 7 APower MOSFETsRDS(on) = 1.5 WQ-ClassN-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 VVGSM

8.1. Size:166K ixys
ixfh7n100p.pdf

Polar TM HiPerFETTM VDSS = 1000VIXFA7N100PPower MOSFETs ID25 = 7AIXFP7N100P RDS(on) 1.9 IXFH7N100PN-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VVGSS Conti

8.2. Size:76K ixys
ixfh7n80 ixfm7n80.pdf

HiPerFETTM IXFH 7 N80 VDSS = 800 VPower MOSFETs IXFM 7 N80 ID (cont) = 7 ARDS(on) = 1.4 WN-Channel Enhancement Modetrr = 250 nsHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C7 ATO-204 AA (IXFM

Otros transistores... IXFH6N100Q , IXFH6N90 , IXFH70N15 , IXFH75N10 , IXFH75N10Q , IXFH76N07-11 , IXFH76N07-12 , IXFH7N80 , IRF540N , IXFH80N10Q , IXFH80N20Q , IXFH8N80 , IXFH9N80 , IXFJ13N50 , IXFJ32N50Q , IXFJ40N30 , IXFK100N10 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: