STP3NB80FP Todos los transistores

 

STP3NB80FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP3NB80FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
 

 Búsqueda de reemplazo de STP3NB80FP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STP3NB80FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  st
 stp3nb80 stp3nb80fp.pdf pdf_icon

STP3NB80FP

STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V

 6.1. Size:346K  st
 stp3nb80.pdf pdf_icon

STP3NB80FP

STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V

 6.2. Size:353K  st
 stp3nb80-fp.pdf pdf_icon

STP3NB80FP

STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V

 8.1. Size:109K  st
 stp3nb100.pdf pdf_icon

STP3NB80FP

STP3NB100STP3NB100FPN-CHANNEL 1000V - 5.3 - 3A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB100 1000 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STP36NE06FP , STP36NF06FP , STP38N65M5 , STP3HNK90Z , STP3N80K5 , STP3NA50 , STP3NB100 , STP3NB80 , AO3407 , STP3NK50Z , STP3NK90ZFP , STP400N4F6 , STP40N20 , STP40N60M2 , STP40N65M2 , STP40NS15 , STP413D .

History: 2SK1502 | TK7J90E | 2N6660C4A | ME2320D2-G | CS37N5 | 2N6659-2 | TK40D10J1

 

 
Back to Top

 


 
.