STP3NB80FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP3NB80FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP3NB80FP
STP3NB80FP Datasheet (PDF)
stp3nb80 stp3nb80fp.pdf
STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V
stp3nb80.pdf
STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V
stp3nb80-fp.pdf
STP3NB80STP3NB80FP N - CHANNEL 800V - 4.6 - 2.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB80 800 V
stp3nb100.pdf
STP3NB100STP3NB100FPN-CHANNEL 1000V - 5.3 - 3A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB100 1000 V
stp3nb90.pdf
STP3NB90STP3NB90FPN-CHANNEL 900V - 4 - 3.5 A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP3NB90 900 V
stp3nb60.pdf
STP3NB60STP3NB60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP3NB60 600 V
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Liste
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