STP40N65M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP40N65M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP40N65M2 datasheet

 ..1. Size:440K  st
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STP40N65M2

STI40N65M2, STP40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order code V R max. I DS DS(on) D STI40N65M2 650 V 0.099 32 A STP40N65M2 3 Extremely low gate charge 2 3 2 1 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 I PAK TO-220 100% avalanche tested

 7.1. Size:1189K  st
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STP40N65M2

STB40N60M2, STP40N60M2, STW40N60M2 N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID 2 STB40N60M2 3 1 3 2 STP40N60M2 650 V 0.088 34 A D2PAK 1 STW40N60M2 TO-220 Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous

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STP40N65M2

STP40N03L-20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE "ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP40N03L-20 30 V

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STP40N65M2

STP40NF10L N-channel 100V - 0.028 - 40A TO-220 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP40NF10L 100V

Otros transistores... STP3NB100, STP3NB80, STP3NB80FP, STP3NK50Z, STP3NK90ZFP, STP400N4F6, STP40N20, STP40N60M2, IRF3205, STP40NS15, STP413D, STP4403, STP4407, STP4407A, STP4435, STP4435A, STP45N10F7