STP5N120 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP5N120

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 139 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP5N120 datasheet

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STP5N120

STP5N120 N-channel 1200 V, 2.7 , 4.7 A TO-220 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PW STP5N120 1200 V

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STP5N120

STP5N105K5 N-channel 1050 V, 2.9 typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STP5N105K5 1050 V 3.5 3 A 85 W Worldwide best FOM (figure of merit) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applications Switching applications Figure 1 Inte

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STP5N120

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stb5nk52zd-1 std5nk52zd stf5nk52zd stp5nk52zd.pdf pdf_icon

STP5N120

STD5NK52ZD, STB5NK52ZD-1 STF5NK52ZD,STP5NK52ZD N-channel 520 V,1.22 ,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FP Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 2 IPAK 3 STB5NK52ZD-1 520 V

Otros transistores... STP4NB80, STP4NM60, STP50NE08, STP50NE10, STP55NF03L, STP55NF06FP, STP57N65M5, STP5N105K5, 2N7002, STP5N60M2, STP5N95K5, STP5NB40, STP5NB40FP, STP5NB60, STP5NK40Z, STP5NK40ZFP, STP5NK50ZFP