STP5NB40FP MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP5NB40FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP5NB40FP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm

Encapsulados: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de STP5NB40FP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:240K st
stp5nb40 stp5nb40fp.pdf pdf_icon

STP5NB40 STP5NB40FP N-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB40 400 V

6.1. Size:341K st
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STP5NB40 STP5NB40FP N-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB40 400 V

6.2. Size:324K st
stp5nb40.pdf pdf_icon

STP5NB40 STP5NB40FP N-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB40 400 V

8.1. Size:328K st
stp5nb100-fp.pdf pdf_icon

STP5NB100 STP5NB100FP N-CHANNEL 1000V - 2.4 - 5A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB100 1000 V