STP60NE06L-16FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP60NE06L-16FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de STP60NE06L-16FP MOSFET
STP60NE06L-16FP Datasheet (PDF)
stp60ne06l-16 stp60ne06l-16fp.pdf
STP60NE06L-16STP60NE06L-16FPN - CHANNEL 60V - 0.014 - 60A TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP60NE06L-16 60 V
stp60ne06l-16-fp.pdf
STP60NE06L-16STP60NE06L-16FPN - CHANNEL 60V - 0.014 - 60A TO-220/TO-220FPSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP60NE06L-16 60 V
stp60ne06l-.pdf
STP60NE06L-16 N - CHANNEL 60V - 0.014 - 60A - D2PAKSINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP60NE06L-16 60 V
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History: IPB60R299CP | SSM6P15FU | STW75N60M6 | IXTK120N25P | SWN7N65K2 | HGP059N08A | STD100N03LT4
History: IPB60R299CP | SSM6P15FU | STW75N60M6 | IXTK120N25P | SWN7N65K2 | HGP059N08A | STD100N03LT4
Liste
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