STP6N80K5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP6N80K5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: TO-220

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STP6N80K5 datasheet

 ..1. Size:1285K  st
stb6n80k5 std6n80k5 sti6n80k5 stp6n80k5.pdf pdf_icon

STP6N80K5

STB6N80K5, STD6N80K5, STI6N80K5, STP6N80K5 N-channel 800 V, 1.3 typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFETs in D PAK, DPAK, I PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order codes VDS RDS(on)max ID PTOT 3 1 3 1 STB6N80K5 DPAK D2PAK STD6N80K5 TAB TAB 800 V 1.6 4.5 A 85 W STI6N80K5 STP6N80K5 3 2 3 2 1 1 Industry s lowest RDS(on) TO-

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
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STP6N80K5

 9.1. Size:96K  st
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STP6N80K5

STP6NA60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NA60FP 600 V

 9.2. Size:532K  st
stb6nc80z stp6nc80z.pdf pdf_icon

STP6N80K5

STP6NC80Z - STP6NC80ZFP STB6NC80Z - STB6NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/D PAK/I PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NC80Z/FP 800V

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