STP80NF55-06FP Todos los transistores

 

STP80NF55-06FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP80NF55-06FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 155 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP80NF55-06FP Datasheet (PDF)

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STP80NF55-06FP

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1STP80NF55-06 - STP80NF55-06FPN-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB80NF55-06 55V

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STP80NF55-06FP

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STP80NF55-06FP

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP80NF55-06FEATURESTypical R (on)=0.005DSExcellent switching performanceEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSolenoid and relay driversDC-DC convertersAutomotive environmentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 3.1. Size:362K  st
 stb80nf55-08t4 stp80nf55-08 stw80nf55-08.pdf pdf_icon

STP80NF55-06FP

STB80NF55-08T4STP80NF55-08, STW80NF55-08N-channel 55 V, 0.0065 , 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247STripFET Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax3STB80NF55-08T4 55 V

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History: VBZE50P03 | IPB60R190C6 | FCH20N60

 

 
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